Архивы за день Декабрь 23rd, 2016

Улучшенная память для будущего поколения микропроцессоров

Известные производители электронных компонентов IBM, AMD и Toshiba Corporation совместно разработали новый тип миниатюрной статической памяти SRAM, используемой в настоящее время во всех микропроцессорах. Каждая ячейка нового типа памяти основана на полевых транзисторах, выполненных по технологии FinFETs и занимает площадь 0.128 квадратных микрометра. За счет малых габаритов ячеек новой памяти весьма существенно снижено общее потребление […]

';